Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIR826LDP-T1-RE3

SIR826LDP-T1-RE3

SIR826LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK

não conforme

SIR826LDP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21.3A (Ta), 86A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3840 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

DMT10H015LFG-7
SQD25N15-52-T4_GE3
DMPH4013SPSQ-13
BSM300C12P3E301
APTM50DAM19G
SIS184LDN-T1-GE3
SIR826DP-T1-RE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.