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BSM300C12P3E301

BSM300C12P3E301

BSM300C12P3E301

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

não conforme

BSM300C12P3E301 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1028.57000 $1028.57
500 $1018.2843 $509142.15
1000 $1007.9986 $1007998.6
1500 $997.7129 $1496569.35
2000 $987.4272 $1974854.4
2500 $977.1415 $2442853.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 300A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id 5.6V @ 80mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +22V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1500 pF @ 10 V
característica fet Standard
dissipação de potência (máx.) 1360W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem -
pacote de dispositivo do fornecedor Module
pacote / caixa Module
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Número da peça relacionada

APTM50DAM19G
SIS184LDN-T1-GE3
SIR826DP-T1-RE3
NTTFS6H860NTAG
NTTFS6H860NTAG
$0 $/pedaço
DMN3061SW-13
DMT6009LPS-13
DMG7401SFG-13
DMP6018LPS-13

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