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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 1200 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 300A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | - |
rds em (máx.) @ id, vgs | - |
vgs(th) (máx.) @ id | 5.6V @ 80mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máx.) | +22V, -4V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1500 pF @ 10 V |
característica fet | Standard |
dissipação de potência (máx.) | 1360W (Tc) |
temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | - |
pacote de dispositivo do fornecedor | Module |
pacote / caixa | Module |
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