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SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR826DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.50575 -
6,000 $1.45350 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2900 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3
$0 $/pedaço
BUK9M5R0-40HX
BUK9M5R0-40HX
$0 $/pedaço
NVD6416ANT4G-VF01
NVD6416ANT4G-VF01
$0 $/pedaço
SQ3481EV-T1_BE3
XP162A11C0PR-G
QS5U34TR
QS5U34TR
$0 $/pedaço
IPB011N04NGATMA1

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