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IPB011N04NGATMA1

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IPB011N04NGATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

não conforme

IPB011N04NGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.57850 -
2,000 $1.49958 -
5,000 $1.44320 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 20000 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IRLR120NTRLPBF
SIHP22N60AE-GE3
STP62NS04Z
STP62NS04Z
$0 $/pedaço
ZXMP7A17KQTC
IXFN170N25X3
IXFN170N25X3
$0 $/pedaço
ECH8656-TL-H
ECH8656-TL-H
$0 $/pedaço
FDBL0090N40
FDBL0090N40
$0 $/pedaço

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