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SIR800ADP-T1-GE3

SIR800ADP-T1-GE3

SIR800ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

não conforme

SIR800ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.79250 -
6,000 $0.76500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50.2A (Ta), 177A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.35mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (máx.) +12V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3415 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FQP4N20
FQP4N20
$0 $/pedaço
DMP3056LSS-13
FDPF51N25
FDPF51N25
$0 $/pedaço
SI8810EDB-T2-E1
SIHB22N60E-GE3
SIHB22N60E-GE3
$0 $/pedaço
APT34M120J
APT34M120J
$0 $/pedaço
G3R350MT12D

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