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SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

compliant

SIHB22N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.71000 $4.71
10 $4.21800 $42.18
100 $3.48540 $348.54
500 $2.85048 $1425.24
1,000 $2.42720 -
3,000 $2.31324 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1920 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

APT34M120J
APT34M120J
$0 $/pedaço
G3R350MT12D
IXFP72N20X3M
IXFP72N20X3M
$0 $/pedaço
RFP8P10
RFP8P10
$0 $/pedaço
SIS415DNT-T1-GE3
IRFZ48SPBF
IRFZ48SPBF
$0 $/pedaço
DMN3025LFV-7

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