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SIR608DP-T1-RE3

SIR608DP-T1-RE3

SIR608DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK

SOT-23

não conforme

SIR608DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.84005 -
6,000 $0.81090 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 45 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 51A (Ta), 208A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 167 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8900 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

RQ7E100ATTCR
RQ7E100ATTCR
$0 $/pedaço
RS3E075ATTB
RS3E075ATTB
$0 $/pedaço
FDB6676
FDB6676
$0 $/pedaço
IRLR2905TRPBF
RSR030N06HZGTL
5LP01C-TB-H
5LP01C-TB-H
$0 $/pedaço
PSMN2R2-40YSDX

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