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FDB6676

FDB6676

FDB6676

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDB6676 Ficha de dados

compliant

FDB6676 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
25443 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 84A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5324 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 93W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRLR2905TRPBF
RSR030N06HZGTL
5LP01C-TB-H
5LP01C-TB-H
$0 $/pedaço
PSMN2R2-40YSDX
NTGS1135PT1G
NTGS1135PT1G
$0 $/pedaço
IRF830PBF
IRF830PBF
$0 $/pedaço
BUK9510-55A,127
BUK9510-55A,127
$0 $/pedaço

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