Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIR5708DP-T1-RE3

SIR5708DP-T1-RE3

SIR5708DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

não conforme

SIR5708DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.58000 $1.58
500 $1.5642 $782.1
1000 $1.5484 $1548.4
1500 $1.5326 $2298.9
2000 $1.5168 $3033.6
2500 $1.501 $3752.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 975 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IXTA1N120P-TRL
IXTA1N120P-TRL
$0 $/pedaço
SIHP12N60E-BE3
SIHP12N60E-BE3
$0 $/pedaço
SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V
$0 $/pedaço
SIHB24N65EFT1-GE3
MCQ05N15-TP
MCQ05N15-TP
$0 $/pedaço
PSMNR60-25YLHX
HUFA75307D3ST
RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
$0 $/pedaço
2SK3004
2SK3004
$0 $/pedaço
IPB65R095C7ATMA2

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.