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SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

não conforme

SIHP12N60E-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.82000 $2.82
500 $2.7918 $1395.9
1000 $2.7636 $2763.6
1500 $2.7354 $4103.1
2000 $2.7072 $5414.4
2500 $2.679 $6697.5
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V
$0 $/pedaço
SIHB24N65EFT1-GE3
MCQ05N15-TP
MCQ05N15-TP
$0 $/pedaço
PSMNR60-25YLHX
HUFA75307D3ST
RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
$0 $/pedaço
2SK3004
2SK3004
$0 $/pedaço
IPB65R095C7ATMA2
NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG
$0 $/pedaço
STN1NF20
STN1NF20
$0 $/pedaço

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