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SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

compliant

SIR410DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47740 -
6,000 $0.45353 -
15,000 $0.43648 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IPA80R310CEXKSA2
FDMS2504SDC
STP410N4F7AG
STP410N4F7AG
$0 $/pedaço
IRF9Z34SPBF
IRF9Z34SPBF
$0 $/pedaço
BUK7E5R2-100E,127
RMD1N25ES9
RMD1N25ES9
$0 $/pedaço
RF4E075ATTCR
RF4E075ATTCR
$0 $/pedaço
FDBL9403-F085
FDBL9403-F085
$0 $/pedaço

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