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RMD1N25ES9

RMD1N25ES9

RMD1N25ES9

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363

compliant

RMD1N25ES9 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 30 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 800mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-363
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

RF4E075ATTCR
RF4E075ATTCR
$0 $/pedaço
FDBL9403-F085
FDBL9403-F085
$0 $/pedaço
DMP31D7LT-7
DMP31D7LT-7
$0 $/pedaço
IRFR9220TRPBF-BE3
SI2305CDS-T1-BE3
RM140N82T2
RM140N82T2
$0 $/pedaço
SQJQ184ER-T1_GE3
NTD4806NA-1G
NTD4806NA-1G
$0 $/pedaço

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