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SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

não conforme

SIR164DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.68880 -
6,000 $0.65646 -
15,000 $0.63336 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3950 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FQAF19N20L
IXTT96N20P
IXTT96N20P
$0 $/pedaço
FQPF27P06
FQPF27P06
$0 $/pedaço
NVBGS1D2N08H
NVBGS1D2N08H
$0 $/pedaço
IRFB4410ZPBF
RSJ250P10TL
RSJ250P10TL
$0 $/pedaço

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