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IXTT96N20P

IXTT96N20P

IXTT96N20P

IXYS

MOSFET N-CH 200V 96A TO268

não conforme

IXTT96N20P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $6.06800 $182.04
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 96A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

FQPF27P06
FQPF27P06
$0 $/pedaço
NVBGS1D2N08H
NVBGS1D2N08H
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IRFB4410ZPBF
RSJ250P10TL
RSJ250P10TL
$0 $/pedaço
IXFX250N10P
IXFX250N10P
$0 $/pedaço
STD20NF20
STD20NF20
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STP10NK80ZFP
STP10NK80ZFP
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