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SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

compliant

SIHU7N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.87615 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251AA
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

PMN55ENEAX
PMN55ENEAX
$0 $/pedaço
SIB457EDK-T1-GE3
SQSA70CENW-T1_GE3
PSMN8R5-100PSQ
SI4634DY-T1-E3
SI4634DY-T1-E3
$0 $/pedaço
SQM120N10-09_GE3
FQD3N30TF
FQU1N50TU
MCU45P03A-TP

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