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SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

compliant

SIB457EDK-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
8200 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-75-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-75-6
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Número da peça relacionada

SQSA70CENW-T1_GE3
PSMN8R5-100PSQ
SI4634DY-T1-E3
SI4634DY-T1-E3
$0 $/pedaço
SQM120N10-09_GE3
FQD3N30TF
FQU1N50TU
MCU45P03A-TP
2SK669K-AC
2SK669K-AC
$0 $/pedaço
IRFZ40PBF
IRFZ40PBF
$0 $/pedaço
IRF7607TRPBF

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