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SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

não conforme

SIHP22N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.62000 $4.62
10 $4.13300 $41.33
100 $3.41480 $341.48
500 $2.79270 $1396.35
1,000 $2.37800 -
3,000 $2.26635 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1920 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor -
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

DMN30H14DLY-13
FDU8896
FDU8896
$0 $/pedaço
NVTFS5124PLTAG
NVTFS5124PLTAG
$0 $/pedaço
IXTQ14N60P
IXTQ14N60P
$0 $/pedaço
NTE492
NTE492
$0 $/pedaço
DMN33D8LTQ-13
NTE2946
NTE2946
$0 $/pedaço
SIR670DP-T1-GE3
IPB65R125C7ATMA2

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