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SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR670DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.59778 -
6,000 $0.56971 -
15,000 $0.54967 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2815 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IPB65R125C7ATMA2
DMG4800LK3-13
DMP65H13D0HSS-13
FDZ193P
FDZ193P
$0 $/pedaço
DMP1009UFDF-7
FDBL0330N80
FDBL0330N80
$0 $/pedaço
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3
$0 $/pedaço
IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
$0 $/pedaço
FQD6N40CTM
FQD6N40CTM
$0 $/pedaço
RSR025N03HZGTL

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