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SIHP17N60D-GE3

SIHP17N60D-GE3

SIHP17N60D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

compliant

SIHP17N60D-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.95160 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 340mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1780 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 277.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STL19N60DM2
STL19N60DM2
$0 $/pedaço
TP2540N3-G-P002
IRF6617TRPBF
FQP13N10
FQP13N10
$0 $/pedaço
APT58M80J
APT58M80J
$0 $/pedaço
STQ2HNK60ZR-AP
SIHFL9110TR-GE3
GPI65015DFN
GPI65015DFN
$0 $/pedaço

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