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STL19N60DM2

STL19N60DM2

STL19N60DM2

MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

compliant

STL19N60DM2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.06625 -
110 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 320mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 90W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (8x8) HV
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

TP2540N3-G-P002
IRF6617TRPBF
FQP13N10
FQP13N10
$0 $/pedaço
APT58M80J
APT58M80J
$0 $/pedaço
STQ2HNK60ZR-AP
SIHFL9110TR-GE3
GPI65015DFN
GPI65015DFN
$0 $/pedaço
SIR140DP-T1-RE3

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