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SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

compliant

SIHP120N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.70000 $5.7
10 $5.09000 $50.9
100 $4.17400 $417.4
500 $3.37992 $1689.96
1,000 $2.85054 -
3,000 $2.70801 -
631 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1562 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 179W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FCP22N60N
FCP22N60N
$0 $/pedaço
NVTFS5124PLTWG
NVTFS5124PLTWG
$0 $/pedaço
RF1S70N06SM9A
NTTFS4823NTWG
NTTFS4823NTWG
$0 $/pedaço
FQA10N80
IPU60R2K1CEAKMA1
BUK6D385-100EX
R8011KNXC7G
R8011KNXC7G
$0 $/pedaço

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