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RF1S70N06SM9A

RF1S70N06SM9A

RF1S70N06SM9A

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RF1S70N06SM9A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.27000 $2.27
500 $2.2473 $1123.65
1000 $2.2246 $2224.6
1500 $2.2019 $3302.85
2000 $2.1792 $4358.4
2500 $2.1565 $5391.25
1600 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 215 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTTFS4823NTWG
NTTFS4823NTWG
$0 $/pedaço
FQA10N80
IPU60R2K1CEAKMA1
BUK6D385-100EX
R8011KNXC7G
R8011KNXC7G
$0 $/pedaço
DMJ70H1D3SK3-13
ISC0703NLSATMA1
DMP21D0UFB-7

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