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SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

não conforme

SIHP080N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.60000 $4.6
500 $4.554 $2277
1000 $4.508 $4508
1500 $4.462 $6693
2000 $4.416 $8832
2500 $4.37 $10925
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2557 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STP5NK60Z
STP5NK60Z
$0 $/pedaço
CSD17575Q3
CSD17575Q3
$0 $/pedaço
DMN6040SFDE-7
VN10LP
VN10LP
$0 $/pedaço
DMN53D0LQ-7
DMN53D0LQ-7
$0 $/pedaço
IPB009N03LGATMA1
IRF7425TRPBF
CMS04N06Y-HF
CMS04N06Y-HF
$0 $/pedaço

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