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IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

compliant

IPB009N03LGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.93193 -
2,000 $1.83534 -
5,000 $1.76634 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 227 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 25000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IRF7425TRPBF
CMS04N06Y-HF
CMS04N06Y-HF
$0 $/pedaço
PSMN020-100YS,115
FDP33N25
FDP33N25
$0 $/pedaço
SQJ431AEP-T1_BE3
IXTA120N04T2
IXTA120N04T2
$0 $/pedaço
IRFR430ATRPBF
IRFR430ATRPBF
$0 $/pedaço

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