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SIHH240N60E-T1-GE3

SIHH240N60E-T1-GE3

SIHH240N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8

não conforme

SIHH240N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.94000 $2.94
500 $2.9106 $1455.3
1000 $2.8812 $2881.2
1500 $2.8518 $4277.7
2000 $2.8224 $5644.8
2500 $2.793 $6982.5
48 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 783 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 89W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRFR3303TRPBF
SIB406EDK-T1-GE3
BUK9M9R1-40EX
BUK9M9R1-40EX
$0 $/pedaço
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4G
$0 $/pedaço
HUF76139S3ST
IRF7480MTRPBF
STP18N60M2
STP18N60M2
$0 $/pedaço
NTD4858N-35G
NTD4858N-35G
$0 $/pedaço
SUM40012EL-GE3
SUM40012EL-GE3
$0 $/pedaço

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