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SIHH186N60EF-T1GE3

SIHH186N60EF-T1GE3

SIHH186N60EF-T1GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8

compliant

SIHH186N60EF-T1GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.79000 $4.79
500 $4.7421 $2371.05
1000 $4.6942 $4694.2
1500 $4.6463 $6969.45
2000 $4.5984 $9196.8
2500 $4.5505 $11376.25
17 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1081 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 114W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

PSMN017-30EL,127
DMP4025SFG-13
NP80N055KLE-E1-AY
NP80N055KLE-E1-AY
$0 $/pedaço
RW4E045ATTCL1
G3R20MT17N
G3R60MT07D
SQJ412EP-T2_GE3

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