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SQJ412EP-T2_GE3

SQJ412EP-T2_GE3

SQJ412EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ412EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.82764 $0.82764
500 $0.8193636 $409.6818
1000 $0.8110872 $811.0872
1500 $0.8028108 $1204.2162
2000 $0.7945344 $1589.0688
2500 $0.786258 $1965.645
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5950 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTNS41006PZTCG
NTNS41006PZTCG
$0 $/pedaço
G1003B
G1003B
$0 $/pedaço
FDP039N08B
MCG35P04-TP
MCG35P04-TP
$0 $/pedaço
IRFPS37N50APBF
MCAC90N04-TP
SIHA6N80AE-GE3
SIHA6N80AE-GE3
$0 $/pedaço
DMP3017SFV-13

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