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SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3

Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

não conforme

SIHG24N80AEF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.10000 $5.1
500 $5.049 $2524.5
1000 $4.998 $4998
1500 $4.947 $7420.5
2000 $4.896 $9792
2500 $4.845 $12112.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 195mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1889 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SIHG180N60E-GE3
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/pedaço
SIRA88DP-T1-GE3
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/pedaço
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/pedaço
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/pedaço

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