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SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

não conforme

SIHG180N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.28000 $4.28
10 $3.84500 $38.45
100 $3.17690 $317.69
500 $2.59818 $1299.09
1,000 $2.21236 -
2,500 $2.10849 -
5,000 $2.03429 -
339 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1085 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFD9120
IRFD9120
$0 $/pedaço
SIRA88DP-T1-GE3
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/pedaço
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/pedaço
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/pedaço
NTHL110N65S3F
NTHL110N65S3F
$0 $/pedaço

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