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SIHF530-GE3

SIHF530-GE3

SIHF530-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

compliant

SIHF530-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.41606 $0.41606
500 $0.4118994 $205.9497
1000 $0.4077388 $407.7388
1500 $0.4035782 $605.3673
2000 $0.3994176 $798.8352
2500 $0.395257 $988.1425
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIHA2N80E-GE3
SIHA2N80E-GE3
$0 $/pedaço
IXTA90N075T2-TRL
IXTA90N075T2-TRL
$0 $/pedaço
FQP13N06L
FQP13N06L
$0 $/pedaço
IPI023NE7N3G
DMP3097LQ-7
DMP3097LQ-7
$0 $/pedaço
CSD17307Q5A
CSD17307Q5A
$0 $/pedaço
FDD6632
FDD6632
$0 $/pedaço
FQP27P06
FQP27P06
$0 $/pedaço

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