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SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220

compliant

SIHA2N80E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.87632 -
2,000 $0.81945 -
5,000 $0.79101 -
10,000 $0.77550 -
27 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 315 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 29W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IXTA90N075T2-TRL
IXTA90N075T2-TRL
$0 $/pedaço
FQP13N06L
FQP13N06L
$0 $/pedaço
IPI023NE7N3G
DMP3097LQ-7
DMP3097LQ-7
$0 $/pedaço
CSD17307Q5A
CSD17307Q5A
$0 $/pedaço
FDD6632
FDD6632
$0 $/pedaço
FQP27P06
FQP27P06
$0 $/pedaço
STB120N4LF6
STB120N4LF6
$0 $/pedaço

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