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SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

SIHF22N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

não conforme

SIHF22N65E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.88640 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2415 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

RQ5H025TNTL
RQ5H025TNTL
$0 $/pedaço
DMN3026LVT-7
STI21N65M5
STI21N65M5
$0 $/pedaço
HUF76429S3ST
HUF76429S3ST
$0 $/pedaço
FCH190N65F-F155
FCH190N65F-F155
$0 $/pedaço
FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM
$0 $/pedaço
BUK7S1R0-40HJ
BUK7S1R0-40HJ
$0 $/pedaço
GA10SICP12-263

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