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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 4.7A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 1Ohm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4.5V @ 50µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 6 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 230 pF @ 400 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 26W (Tc) |
| temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO251-3 |
| pacote / caixa | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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