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SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

não conforme

SIHF12N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.54245 -
2,000 $1.44235 -
5,000 $1.39230 -
377 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
$0 $/pedaço
SIRA54DP-T1-GE3
SQJA04EP-T1_BE3
IXFK24N100Q3
IXFK24N100Q3
$0 $/pedaço
STB11N65M5
STB11N65M5
$0 $/pedaço
PMPB43XPE,115
PMPB43XPE,115
$0 $/pedaço
NP60N04ILF-E1-AZ
NP60N04ILF-E1-AZ
$0 $/pedaço
FQP4N20L
FQP4N20L
$0 $/pedaço
SIR582DP-T1-RE3

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