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SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIR582DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28.9A (Ta), 116A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3360 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI4864DY-T1-E3
SI4864DY-T1-E3
$0 $/pedaço
NX3008NBK,215
NX3008NBK,215
$0 $/pedaço
DMTH6016LFVW-7
BUK7M15-40HX
BUK7M15-40HX
$0 $/pedaço
SCH1337-TL-H
SCH1337-TL-H
$0 $/pedaço
BSP89,115
BSP89,115
$0 $/pedaço
IXFH98N60X3
IXFH98N60X3
$0 $/pedaço
IRFS640A
SIR681DP-T1-RE3
STW77N65M5
STW77N65M5
$0 $/pedaço

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