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SIHB33N60ET1-GE3

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SIHB33N60ET1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO263

não conforme

SIHB33N60ET1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $3.88500 $3108
1,600 $3.64080 -
2,400 $3.46986 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3508 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

BSS138BKW,115
BSS138BKW,115
$0 $/pedaço
DMT6013LFDF-13
NTB5426NT4G
NTB5426NT4G
$0 $/pedaço
AUIRF2804STRL7P
STD6N60M2
STD6N60M2
$0 $/pedaço
IXFK180N25T
IXFK180N25T
$0 $/pedaço
IRFI4227PBF
SIR862DP-T1-GE3
PMV35EPER
PMV35EPER
$0 $/pedaço

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