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SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR862DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.67240 -
6,000 $0.64083 -
15,000 $0.61828 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3800 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

PMV35EPER
PMV35EPER
$0 $/pedaço
NTMFS1D15N03CGT1G
NTMFS1D15N03CGT1G
$0 $/pedaço
IPA60R600P7XKSA1
IXTA150N15X4-7
IXTA150N15X4-7
$0 $/pedaço
FQI17P10TU
IRFB7545PBF
DMTH6004SCTBQ-13

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