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SIHB30N60ET1-GE3

SIHB30N60ET1-GE3

SIHB30N60ET1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

não conforme

SIHB30N60ET1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.35000 $6.35
500 $6.2865 $3143.25
1000 $6.223 $6223
1500 $6.1595 $9239.25
2000 $6.096 $12192
2500 $6.0325 $15081.25
800 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2600 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STP20NK50Z
STP20NK50Z
$0 $/pedaço
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11
$0 $/pedaço
IXFH88N30P
IXFH88N30P
$0 $/pedaço
PSMN1R6-30MLHX
SUD25N15-52-BE3
STP35N60M2-EP
MCQ15N10YA-TP
FCP190N65S3
FCP190N65S3
$0 $/pedaço
IPW50R399CPFKSA1

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