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MCQ15N10YA-TP

MCQ15N10YA-TP

MCQ15N10YA-TP

MOSFET N-CH DFN3333

compliant

MCQ15N10YA-TP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.20000 $1.2
500 $1.188 $594
1000 $1.176 $1176
1500 $1.164 $1746
2000 $1.152 $2304
2500 $1.14 $2850
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2270 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

FCP190N65S3
FCP190N65S3
$0 $/pedaço
IPW50R399CPFKSA1
RQ5A040ZPTL
RQ5A040ZPTL
$0 $/pedaço
FCPF150N65F
FCPF150N65F
$0 $/pedaço
DMN3731U-13
DMN3731U-13
$0 $/pedaço
BUK9M10-30EX
BUK9M10-30EX
$0 $/pedaço
SPP02N60C3XKSA1
SIHB11N80E-GE3
SIHB11N80E-GE3
$0 $/pedaço
IXFH12N120P
IXFH12N120P
$0 $/pedaço
SIHP24N65E-E3
SIHP24N65E-E3
$0 $/pedaço

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