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SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

não conforme

SIHB30N60AEL-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.57520 -
2,000 $3.40734 -
18 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2565 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

BUZ76A
BUZ76A
$0 $/pedaço
STI6N62K3
STI6N62K3
$0 $/pedaço
RV3C002UNT2CL
SQM40031EL_GE3
SQM40031EL_GE3
$0 $/pedaço
PSMN7R8-100PSEQ
FDB029N06
FDD8796
FDD8796
$0 $/pedaço

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