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FDD8796

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

FDD8796 Ficha de dados

não conforme

FDD8796 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.38283 -
5,000 $0.35784 -
12,500 $0.34534 -
25,000 $0.33853 -
34346 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2610 pF @ 13 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPI50R350CPXKSA1
IXFA270N06T3
IXFA270N06T3
$0 $/pedaço
STL16N65M5
STL16N65M5
$0 $/pedaço
STWA63N65DM2
STWA63N65DM2
$0 $/pedaço
IRFH9310TRPBF
BUK7E4R3-75C,127
BUK7E4R3-75C,127
$0 $/pedaço
APT30M61SLLG/TR

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