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SIHA5N80AE-GE3

SIHA5N80AE-GE3

SIHA5N80AE-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

compliant

SIHA5N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.45000 $1.45
500 $1.4355 $717.75
1000 $1.421 $1421
1500 $1.4065 $2109.75
2000 $1.392 $2784
2500 $1.3775 $3443.75
1037 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 321 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 29W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IRFR430BTF
NX138AKHH
NX138AKHH
$0 $/pedaço
STWA45N65M5
STWA45N65M5
$0 $/pedaço
SIRA36DP-T1-GE3
SI3474DV-T1-GE3
NTD23N03RT4
NTD23N03RT4
$0 $/pedaço
IRFD9120PBF
IRFD9120PBF
$0 $/pedaço
IRF540NSTRRPBF

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