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SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

não conforme

SIRA36DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2815 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI3474DV-T1-GE3
NTD23N03RT4
NTD23N03RT4
$0 $/pedaço
IRFD9120PBF
IRFD9120PBF
$0 $/pedaço
IRF540NSTRRPBF
FQD7N20LTM
BUK9E4R4-80E,127
BUK9E4R4-80E,127
$0 $/pedaço
AUIRFS4010-7P

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