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SIHA24N65EF-GE3

SIHA24N65EF-GE3

SIHA24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

não conforme

SIHA24N65EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.19000 $6.19
500 $6.1281 $3064.05
1000 $6.0662 $6066.2
1500 $6.0043 $9006.45
2000 $5.9424 $11884.8
2500 $5.8805 $14701.25
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2774 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

SIHP240N60E-GE3
BF2040RE6814
SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1
$0 $/pedaço
CSD23381F4T
CSD23381F4T
$0 $/pedaço
SI3493BDV-T1-BE3
C2M0280120D
C2M0280120D
$0 $/pedaço
RSQ020N03TR
RSQ020N03TR
$0 $/pedaço

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