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IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

compliant

IPB039N10N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.43550 -
2,000 $1.33650 -
5,000 $1.28700 -
12496 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 160µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8410 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

SI3493BDV-T1-BE3
C2M0280120D
C2M0280120D
$0 $/pedaço
RSQ020N03TR
RSQ020N03TR
$0 $/pedaço
STL92N10F7AG
STL92N10F7AG
$0 $/pedaço
IXTX90P20P
IXTX90P20P
$0 $/pedaço
IRLZ44ZSTRLPBF
STP8N90K5
STP8N90K5
$0 $/pedaço
SI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1
$0 $/pedaço
SI7489DP-T1-GE3

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