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SIHA12N60E-GE3

SIHA12N60E-GE3

SIHA12N60E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

não conforme

SIHA12N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.65000 $2.65
500 $2.6235 $1311.75
1000 $2.597 $2597
1500 $2.5705 $3855.75
2000 $2.544 $5088
2500 $2.5175 $6293.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

JDX5010
JDX5010
$0 $/pedaço
STF16N90K5
STF16N90K5
$0 $/pedaço
BSC0901NSATMA1
RV2C014BCT2CL
PMV65ENEAR
PMV65ENEAR
$0 $/pedaço
STP23N80K5
STP23N80K5
$0 $/pedaço
SI2324DS-T1-GE3
R6535KNZ4C13
R6535KNZ4C13
$0 $/pedaço

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