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RV2C014BCT2CL

RV2C014BCT2CL

RV2C014BCT2CL

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3

compliant

RV2C014BCT2CL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
8000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 700mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 100 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 400mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN1006-3
pacote / caixa 3-XFDFN
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Número da peça relacionada

PMV65ENEAR
PMV65ENEAR
$0 $/pedaço
STP23N80K5
STP23N80K5
$0 $/pedaço
SI2324DS-T1-GE3
R6535KNZ4C13
R6535KNZ4C13
$0 $/pedaço
DMG3402LQ-7
DMG3402LQ-7
$0 $/pedaço
SQ4435EY-T1_BE3
IPP60R040C7XKSA1
SI4062DY-T1-GE3
STI33N65M2
STI33N65M2
$0 $/pedaço

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