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SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

compliant

SIDR680DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.47643 -
6,000 $1.42520 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32.8A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5150 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFI720GPBF
IRFI720GPBF
$0 $/pedaço
CSD19531Q5A
CSD19531Q5A
$0 $/pedaço
IRFP7530PBF
FDD10AN06A0Q
IXFK420N10T
IXFK420N10T
$0 $/pedaço
DMN2310UTQ-7
VN0109N3-G
VN0109N3-G
$0 $/pedaço
STP13N65M2
STP13N65M2
$0 $/pedaço
RT1E050RPTR
RT1E050RPTR
$0 $/pedaço

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