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RT1E050RPTR

RT1E050RPTR

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

não conforme

RT1E050RPTR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13950 -
6,000 $0.13050 -
15,000 $0.12600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 36mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSST
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
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Número da peça relacionada

SIHH100N60E-T1-GE3
IRFZ48NSTRLPBF
C3M0075120J
C3M0075120J
$0 $/pedaço
IXFK64N60Q3
IXFK64N60Q3
$0 $/pedaço
IXTP340N04T4
IXTP340N04T4
$0 $/pedaço
DMN3009SSS-13
BUK9M120-100EX
IXFH16N50P3
IXFH16N50P3
$0 $/pedaço

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