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SIDR668ADP-T1-RE3

SIDR668ADP-T1-RE3

SIDR668ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK

não conforme

SIDR668ADP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.60000 $2.6
500 $2.574 $1287
1000 $2.548 $2548
1500 $2.522 $3783
2000 $2.496 $4992
2500 $2.47 $6175
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23.3A (Ta), 104A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3750 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G
$0 $/pedaço
NVMFS5C456NLWFAFT3G
NVMFS5C456NLWFAFT3G
$0 $/pedaço
NVTYS010N06CLTWG
NVTYS010N06CLTWG
$0 $/pedaço
R6020ENX
R6020ENX
$0 $/pedaço
ZVP2106ASTZ
ZVP2106ASTZ
$0 $/pedaço
2SK2161
2SK2161
$0 $/pedaço
SI4840BDY-T1-E3
ZVP2120GTA
ZVP2120GTA
$0 $/pedaço
SIHB30N60AEL-GE3
BUZ76A
BUZ76A
$0 $/pedaço

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